La memoria flash anda intentando desde hace un tiempo desbancar a los discos duros como métodos de almacenamiento fijo. Sin embargo otro tipo de memoria está emergiendo como alternativa incluso mejor que la flash. Se trata de la momoria de cambio de fase.
A este tipo de memoria se le conoce como PCM, PRAM, PCRAM o C-RAM y entre las ventajas que presenta encontramos la posibilidad de escribirla hasta 100 millones de veces (flash entre 10.000 y 100.000) y la velocidad de acceso que es 100.000 veces más rápida que en las memorias flash.
Intel y STMicroelectronics están desarrollando este tipo de memoria que se conoce teóricamente desde los años 60 y que se basa en los cambios de estado de un tipo de cristal entre cristalino y amorfo.
En principio los primeros módulos de este interesante tipo de memoria serán de 512 MB.